Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTR30N25
Herstellerteilenummer | IXTR30N25 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTR30N25 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTR30N25 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISOPLUS247™ |
Paket / fall | ISOPLUS247™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTR30N25 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTR30N25-FT |
IXUN350N10
IXYS
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Microsemi Corporation
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EP4SGX530KF43C3
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A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
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EP20K60EFC324-1
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