Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXUN350N10
Herstellerteilenummer | IXUN350N10 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXUN350N10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXUN350N10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 350A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 175A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 3mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 640nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 27000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 830W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXUN350N10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXUN350N10-FT |
IXFN48N60P
IXYS
IXFN50N120SK
IXYS
IXFN64N60P
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
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5AGTFC7H3F35I3G
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