Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTT60N10
Herstellerteilenummer | IXTT60N10 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTT60N10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTT60N10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT60N10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTT60N10-FT |
IXFT86N30T
IXYS
IXFT88N30P
IXYS
IXFT94N30T
IXYS
IXFT96N20P
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IXTT02N450HV
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IXTT100N25P
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IXTT10N100D
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IXTT10P60
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IXTT11P50
IXYS
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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10AX115U2F45I2SGE2
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