Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6473US
Herstellerteilenummer | JAN1N6473US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6473US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/552 |
JAN1N6473US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 24V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 27V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 41.4V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 207A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, G |
Supplier Device Package | G-MELF (D-5C) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6473US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6473US-FT |
JAN1N6147AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6147US
Microsemi Corporation
JAN1N6148
Microsemi Corporation
JAN1N6148AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6148US
Microsemi Corporation
JAN1N6149
Microsemi Corporation
JAN1N6149AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6149US
Microsemi Corporation
JAN1N6150
Microsemi Corporation
JAN1N6150AUS
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation