Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / M24C02-DRMN3TP/K
Herstellerteilenummer | M24C02-DRMN3TP/K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-M24C02-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
M24C02-DRMN3TP/K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EEPROM |
Technologie | EEPROM |
Speichergröße | 2Kb (256 x 8) |
Taktfrequenz | 1MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 4ms |
Zugriffszeit | 450ns |
Speicherschnittstelle | I²C |
Spannungsversorgung | 1.8V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C02-DRMN3TP/K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | M24C02-DRMN3TP/K-FT |
THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C4LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel