Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / M5060TB600
Herstellerteilenummer | M5060TB600 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-M5060TB600 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
M5060TB600 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Three Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 60A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 50A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M5060TB600 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | M5060TB600-FT |
GBJ808-F
Diodes Incorporated
GBJ804-F
Diodes Incorporated
GBJ2010-F
Diodes Incorporated
GBJ2001-F
Diodes Incorporated
GBJ1006-F
Diodes Incorporated
GBJ801
Diodes Incorporated
GBJ602-F
Diodes Incorporated
GBJ1501-F
Diodes Incorporated
GBJ1508-F
Diodes Incorporated
GBJ606-F
Diodes Incorporated
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel