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Herstellerteilenummer | MLP2016H2R2MT0S1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MLP2016H2R2MT0S1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MLP |
MLP2016H2R2MT0S1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.2A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 137.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016H2R2MT0S1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MLP2016H2R2MT0S1-FT |
MLZ2012M330WTD25
TDK Corporation
MLZ2012M6R8WTD25
TDK Corporation
MLZ2012N150LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N1R5LT000
TDK Corporation
MLZ2012DR47DTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HT
TDK Corporation
MLZ2012M3R3HT
TDK Corporation
MLZ2012M6R8HT
TDK Corporation
MLZ2012P220WT
TDK Corporation
MLZ2012A1R0WTD25
TDK Corporation
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel