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Herstellerteilenummer | MLP2016V1R0MT0S1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MLP2016V1R0MT0S1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MLP |
MLP2016V1R0MT0S1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.2A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016V1R0MT0S1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MLP2016V1R0MT0S1-FT |
MLZ2012M3R3HT
TDK Corporation
MLZ2012M6R8HT
TDK Corporation
MLZ2012P220WT
TDK Corporation
MLZ2012A1R0WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A1R5WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A2R2WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A3R3WTD25
TDK Corporation
MLZ2012DR10DT000
TDK Corporation
MLZ2012DR10DTD25
TDK Corporation
MLZ2012DR22DT000
TDK Corporation
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel