Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MMBT918LT1G
Herstellerteilenummer | MMBT918LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBT918LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBT918LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 600MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
Gewinnen | 11dB |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT918LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBT918LT1G-FT |
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
XC6SLX100T-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1CQ208B
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
APA600-CQ208B
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100A
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2X
Intel
5SGXMA3E3H29C4N
Intel
5SGXEA5H2F35I2LN
Intel
XC7K325T-L2FFG900E
Xilinx Inc.
10AX090H4F34I3LG
Intel