Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10LT3G
Herstellerteilenummer | MMBTH10LT3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBTH10LT3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBTH10LT3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Frequenz - Übergang | 650MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10LT3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBTH10LT3G-FT |
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
XCVU3P-3FFVC1517E
Xilinx Inc.
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMA5H3F35C2LN
Intel
LCMXO2-2000UHE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R4F40I3LG
Intel
EP4CE115F29C7
Intel
EPF10K30EQI208-2N
Intel