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Herstellerteilenummer | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH, RAM |
Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Speichergröße | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.8V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 121-WFBGA |
Supplier Device Package | 121-VFBGA (8x7.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR-FT |
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel