Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H
Herstellerteilenummer | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH, RAM |
Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Speichergröße | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.8V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 121-WFBGA |
Supplier Device Package | 121-VFBGA (8x7.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H-FT |
MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Micron Technology Inc.