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Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
- MFG-Teilenummer
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
- verfügbare Anzahl
- 16230 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Micron Technology Inc.
- Kurze Beschreibung
- - IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Erinnerung
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.8V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / fall | - |
| Supplier Device Package | - |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E-FT |
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