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Herstellerteilenummer | MT49H16M18SJ-25:B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT49H16M18SJ-25:B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT49H16M18SJ-25:B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | DRAM |
Speichergröße | 288Mb (16M x 18) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 144-TBGA |
Supplier Device Package | 144-FBGA (18.5x11) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M18SJ-25:B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT49H16M18SJ-25:B-FT |
MT47H64M8B6-3 IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-37E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-37E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel