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Herstellerteilenummer | MT49H32M9SJ-25:B TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT49H32M9SJ-25:B TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT49H32M9SJ-25:B TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | DRAM |
Speichergröße | 288Mb (32M x 9) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 144-TFBGA |
Supplier Device Package | 144-FBGA (18.5x11) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M9SJ-25:B TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT49H32M9SJ-25:B TR-FT |
MT47H32M8BP-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-37E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E L:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3 IT:D TR
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel