Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / MUN2135T1G
Herstellerteilenummer | MUN2135T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN2135T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN2135T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 230mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SC-59-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN2135T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN2135T1G-FT |
UNR421K00A
Panasonic Electronic Components
UNR411100A
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UNR411400A
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UNR41160RA
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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EPF8282ALC84-3
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EP20K200EBC356-2N
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