Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5132DW1T1G
ON Semiconductor MUN5132DW1T1G
- MFG-Teilenummer
- MUN5132DW1T1G
- verfügbare Anzahl
- 62550 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.035616
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- MUN5132DW1T1G.pdf
MUN5132DW1T1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | MUN5132DW1T1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5132DW1T1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| MUN5132DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 250mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MUN5132DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | MUN5132DW1T1G-FT |
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