Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5211DW1T1G
Herstellerteilenummer | MUN5211DW1T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5211DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5211DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5211DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5211DW1T1G-FT |
EMF5XV6T5
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5G
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NSBA114TDXV6T1
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NSBA114TDXV6T5
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NSBA114YDXV6T1
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NSBA123EDXV6T1
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NSBA123JDXV6T1
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NSBA123JDXV6T1G
ON Semiconductor
A42MX16-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
A1020B-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400C8N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel