Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5311DW1T1
Herstellerteilenummer | MUN5311DW1T1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5311DW1T1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5311DW1T1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5311DW1T1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5311DW1T1-FT |
MUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5134DW1T1G
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XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-SWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL060V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFXP10C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40E3SG
Intel
10AX032E2F27I1SG
Intel