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Herstellerteilenummer | NDFPD1N150CG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NDFPD1N150CG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NDFPD1N150CG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 Ohm @ 50mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 20W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDFPD1N150CG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NDFPD1N150CG-FT |
SCT3160KLGC11
Rohm Semiconductor
SCT3080KLGC11
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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LCMXO2280E-3B256C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
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5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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