Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NDS355AN_G
Herstellerteilenummer | NDS355AN_G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NDS355AN_G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NDS355AN_G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 195pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS355AN_G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NDS355AN_G-FT |
2N7002_L99Z
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2N7002_NB9G002
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BSS119 E7796
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BSS119L6327HTSA1
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XC3S50-4TQG144I
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XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
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MPF300T-1FCG1152E
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EP3SL200H780I4L
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
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