Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE851M13-T3-A
Herstellerteilenummer | NE851M13-T3-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE851M13-T3-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE851M13-T3-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 5.5V |
Frequenz - Übergang | 4.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Gewinnen | 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ |
Leistung max | 140mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-3 |
Supplier Device Package | M13 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE851M13-T3-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE851M13-T3-A-FT |
BFR 360T E6327
Infineon Technologies
BFR 380T E6327
Infineon Technologies
BFR 949T E6327
Infineon Technologies
MMBTH10-7
Diodes Incorporated
MMBTH24-7
Diodes Incorporated
BFU550R
NXP USA Inc.
BFP183E7764HTSA1
Infineon Technologies
BFP193E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFU520R
NXP USA Inc.
BFU520XAR
NXP USA Inc.