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NMSD200B01-7 Image

Diodes Incorporated NMSD200B01-7

MFG-Teilenummer
NMSD200B01-7
verfügbare Anzahl
21140 Stücke
Referenzpreis
USD 0.08352
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
NMSD200B01-7.pdf
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NMSD200B01-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer NMSD200B01-7
Zukünftige Teilenummer FT-NMSD200B01-7
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
NMSD200B01-7 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-363
Paket / fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NMSD200B01-7 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NMSD200B01-7-FT

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