Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NP0G3D100A
Herstellerteilenummer | NP0G3D100A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NP0G3D100A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NP0G3D100A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms, 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms, 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz, 80MHz |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-963 |
Supplier Device Package | SSSMini6-F1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP0G3D100A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NP0G3D100A-FT |
EMH1T2R
Rohm Semiconductor
EMH3T2R
Rohm Semiconductor
EMH4T2R
Rohm Semiconductor
EMH59T2R
Rohm Semiconductor
EMH60T2R
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EMH61T2R
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EMH75T2R
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EMB6T2R
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EMB9T2R
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EMD30T2R
Rohm Semiconductor
EP20K100ETC144-1
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XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL250V2-VQG100I
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EP2C5F256C7
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XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
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EP2AGX260FF35I3
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EP20K300ERC208-2X
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