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Renesas Electronics America NP80N055NDG-S18-AY

Name: NP80N055NDG-S18-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP80N055NDG-S18-AY
Availability: InStock
Rating: 4.7 (277 reviews)

MFG-Teilenummer: NP80N055NDG-S18-AY

verfügbare Anzahl: 97730 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NP80N055NDG-S18-AY.pdf

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NP80N055NDG-S18-AY Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NP80N055NDG-S18-AY
Zukünftige Teilenummer	FT-NP80N055NDG-S18-AY
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NP80N055NDG-S18-AY Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6900pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta), 115W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP80N055NDG-S18-AY Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NP80N055NDG-S18-AY-FT

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