Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSB1706DMW5T1
Herstellerteilenummer | NSB1706DMW5T1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSB1706DMW5T1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSB1706DMW5T1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Supplier Device Package | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB1706DMW5T1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSB1706DMW5T1-FT |
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5115DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5212DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
AGLN030V2-ZQNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC7A200T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C9LN
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
EP4S100G5H40I3N
Intel
LFEC3E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100BC356-2
Intel
EP1K100QC208-2
Intel