Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSS20101JT1G
Herstellerteilenummer | NSS20101JT1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSS20101JT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSS20101JT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Leistung max | 300mW |
Frequenz - Übergang | 350MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Supplier Device Package | SC-89-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS20101JT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSS20101JT1G-FT |
MMBT5401LT3
ON Semiconductor
MMBT6427LT3
ON Semiconductor
MMBT6427LT3G
ON Semiconductor
MMBT6429LT1
ON Semiconductor
MMBT6517LT1G
ON Semiconductor
MMBT6517LT3
ON Semiconductor
MMBT6517LT3G
ON Semiconductor
MMBT6520LT3
ON Semiconductor
MMBT6520LT3G
ON Semiconductor
MMBT6521LT1
ON Semiconductor
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.