Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSV40200UW6T1G
Herstellerteilenummer | NSV40200UW6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSV40200UW6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSV40200UW6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
Leistung max | 875mW |
Frequenz - Übergang | 140MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV40200UW6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSV40200UW6T1G-FT |
NJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor
NJVNJD2873T4G-VF01
ON Semiconductor
MJD44H11G
ON Semiconductor
NJVMJD112G
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NJVMJD31CG
ON Semiconductor
MJD127G
ON Semiconductor
MJD112G
ON Semiconductor
NSV1C300ET4G-VF01
ON Semiconductor
NJVNJD35N04T4G
ON Semiconductor
MJD117T4G
ON Semiconductor
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EPF10K100EFC484-3
Intel
EP2SGX90EF1152C4
Intel
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation