Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSVB1706DMW5T1G
Herstellerteilenummer | NSVB1706DMW5T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVB1706DMW5T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVB1706DMW5T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Supplier Device Package | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVB1706DMW5T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVB1706DMW5T1G-FT |
NSVMUN5332DW1T3G
ON Semiconductor
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5115DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5212DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
EP20K100ETC144-1
Intel
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5F256C7
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel