Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSVDTC123JM3T5G
Herstellerteilenummer | NSVDTC123JM3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVDTC123JM3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVDTC123JM3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 260mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SOT-723 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVDTC123JM3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVDTC123JM3T5G-FT |
PDTA144VT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB113ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTB143XTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC114ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114ET,235
Nexperia USA Inc.
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V10B-PL68C
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-2X
Intel
XC4VLX80-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FFG672I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U15C6N
Intel