Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSVMUN5137DW1T1G
Herstellerteilenummer | NSVMUN5137DW1T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMUN5137DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVMUN5137DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5137DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMUN5137DW1T1G-FT |
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1G
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EMG2DXV5T5G
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ON Semiconductor
AT6002ALV-4AC
Microchip Technology
EP1K50TC144-3
Intel
LFXP3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEB5R2F43I3LN
Intel
XC7K410T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC7A75T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C5N
Intel