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ON Semiconductor NSVMUN531335DW1T3G
- MFG-Teilenummer
- NSVMUN531335DW1T3G
- verfügbare Anzahl
- 16910 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.077336
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- Automotive, AEC-Q101 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NSVMUN531335DW1T3G.pdf
NSVMUN531335DW1T3G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NSVMUN531335DW1T3G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMUN531335DW1T3G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| NSVMUN531335DW1T3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms, 2.2 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms, 47 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 385mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSVMUN531335DW1T3G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NSVMUN531335DW1T3G-FT |
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