Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSVMUN531335DW1T3G
Herstellerteilenummer | NSVMUN531335DW1T3G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMUN531335DW1T3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMUN531335DW1T3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms, 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms, 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 385mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN531335DW1T3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMUN531335DW1T3G-FT |
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T5G
ON Semiconductor
EMC2DXV5T1
ON Semiconductor
EMC5DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1
ON Semiconductor
NSTB1003DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
5SGSED8K3F40C4N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP1K30QC208-1N
Intel