Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / NSVT65011MW6T1G
Herstellerteilenummer | NSVT65011MW6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVT65011MW6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVT65011MW6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 65V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 380mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88 (SOT-363) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVT65011MW6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVT65011MW6T1G-FT |
CPH5520-TL-E
ON Semiconductor
NST3906DP6T5G
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XC3S100E-5VQG100C
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10AX027H2F34E2SG
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5AGXMA1D4F27C5N
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5SGXMA7H3F35I3LN
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Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-4AA
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