Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NTD18N06LT4G
Herstellerteilenummer | NTD18N06LT4G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NTD18N06LT4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NTD18N06LT4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 9A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 675pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD18N06LT4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NTD18N06LT4G-FT |
NTJS3151PT2G
ON Semiconductor
NTJS3157NT1G
ON Semiconductor
NTJS3151PT2
ON Semiconductor
NTJS3157NT2
ON Semiconductor
NTJS3157NT2G
ON Semiconductor
NTJS3157NT4
ON Semiconductor
NTJS3157NT4G
ON Semiconductor
NTJS4151PT1
ON Semiconductor
NTJS4160NT1G
ON Semiconductor
NTJS4405NT1
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel