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ON Semiconductor NTD6600N-1G

Name: NTD6600N-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTD6600N-1G
Availability: InStock
Rating: 5.0 (459 reviews)

MFG-Teilenummer: NTD6600N-1G

verfügbare Anzahl: 97470 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NTD6600N-1G.pdf

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NTD6600N-1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NTD6600N-1G
Zukünftige Teilenummer	FT-NTD6600N-1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NTD6600N-1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	146 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I-PAK
Paket / fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD6600N-1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NTD6600N-1G-FT

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