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Herstellerteilenummer | SI6415DQ-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI6415DQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI6415DQ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-TSSOP |
Paket / fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6415DQ-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI6415DQ-T1-GE3-FT |
SPB10N10 G
Infineon Technologies
SPB10N10L
Infineon Technologies
SPB10N10L G
Infineon Technologies
SPB11N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB11N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB12N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB16N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB17N80C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB18P06P
Infineon Technologies
SPB18P06PGATMA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel