Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF7521D1
Herstellerteilenummer | IRF7521D1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF7521D1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | FETKY™ |
IRF7521D1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 15V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Micro8™ |
Paket / fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7521D1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF7521D1-FT |
SPB10N10L G
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SPB11N60C3ATMA1
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