Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTD123EUX
Herstellerteilenummer | PDTD123EUX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTD123EUX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTD123EUX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 225MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SC-70 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD123EUX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTD123EUX-FT |
DDTD122TU-7
Diodes Incorporated
DDTD142JU-7
Diodes Incorporated
DDTD142TU-7
Diodes Incorporated
DRDNB16W-7
Diodes Incorporated
DRDPB16W-7
Diodes Incorporated
DRDPB26W-7
Diodes Incorporated
DRDNB26W-7
Diodes Incorporated
DDTC114YLP-7
Diodes Incorporated
DDTC113TLP-7
Diodes Incorporated
DDTC143ZLP-7
Diodes Incorporated
A3P015-2QNG68
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel