Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PEMD20,115
Herstellerteilenummer | PEMD20,115 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PEMD20,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PEMD20,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD20,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PEMD20,115-FT |
NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5211DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5233DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5312DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5116DW1T1G
ON Semiconductor