Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PEMD2,115
Herstellerteilenummer | PEMD2,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PEMD2,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PEMD2,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD2,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PEMD2,115-FT |
NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5133DW1T1G
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NSVMUN5137DW1T1G
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NSVMUN5334DW1T1G
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XC2V250-5FGG256I
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XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
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A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
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5SGSED8K3F40C4N
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5CGXFC5F6M11I7N
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10AX016E4F29E3SG
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