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NXP USA Inc. PHD21N06LT,118

Name: PHD21N06LT,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHD21N06LT,118
Availability: InStock
Rating: 4.5 (297 reviews)

MFG-Teilenummer: PHD21N06LT,118

verfügbare Anzahl: 94790 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PHD21N06LT,118.pdf

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PHD21N06LT,118 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PHD21N06LT,118
Zukünftige Teilenummer	FT-PHD21N06LT,118
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchMOS™
PHD21N06LT,118 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.4nC @ 5V
Vgs (Max)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	56W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DPAK
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD21N06LT,118 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PHD21N06LT,118-FT

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