Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / PMV16XNR
Herstellerteilenummer | PMV16XNR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PMV16XNR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PMV16XNR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 510mW (Ta), 6.94W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV16XNR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PMV16XNR-FT |
PHB110NQ06LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08T,118
Nexperia USA Inc.
PHB112N06T,118
NXP USA Inc.
PHB119NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB11N06LT,118
NXP USA Inc.
PHB129NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB143NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB145NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB146NQ06LT,118
NXP USA Inc.
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel