Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PQMB11Z
Herstellerteilenummer | PQMB11Z |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PQMB11Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMB11Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 180MHz |
Leistung max | 230mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMB11Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PQMB11Z-FT |
MUN5315DW1T1
ON Semiconductor
MUN5316DW1T1
ON Semiconductor
MUN5331DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1
ON Semiconductor
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor
MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
NSB13211DW6T1G
ON Semiconductor
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
EP4CE6F17I7
Intel
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel