Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5331DW1T1G
Herstellerteilenummer | MUN5331DW1T1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5331DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5331DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5331DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5331DW1T1G-FT |
MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5112DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5216DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5212DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN531335DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5237DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
XCV50-4FG256C
Xilinx Inc.
A14V15A-VQG100C
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I4
Intel
EP4SGX180KF40I4
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC6VLX130T-1FF784I
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
Intel