Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / PQMD12Z
Herstellerteilenummer | PQMD12Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PQMD12Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PQMD12Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 230MHz, 180MHz |
Leistung max | 350mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMD12Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PQMD12Z-FT |
MUN5331DW1T1G
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MUN5332DW1T1
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