Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / QRD1210004
Herstellerteilenummer | QRD1210004 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-QRD1210004 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
QRD1210004 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 100A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD1210004 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | QRD1210004-FT |
MSAD165-18
Microsemi Corporation
MSAD200-08
Microsemi Corporation
MSAD200-12
Microsemi Corporation
MSAD200-18
Microsemi Corporation
MSAD36-08
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MSAD36-12
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Microsemi Corporation
MSAD36-18
Microsemi Corporation
MSAD60-08
Microsemi Corporation
MSAD60-12
Microsemi Corporation
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
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5SGXEA7K2F40I2N
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EP2AGX45DF25C6
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XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
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LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
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EP3SE80F780C4N
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