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Rohm Semiconductor R6010ANX
- MFG-Teilenummer
- R6010ANX
- verfügbare Anzahl
- 45310 Stücke
- Referenzpreis
- USD 2.664
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- R6010ANX.pdf
R6010ANX Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | R6010ANX |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-R6010ANX |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| R6010ANX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Not For New Designs |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| R6010ANX Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | R6010ANX-FT |
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