Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RJK0328DPB-01#J0
Herstellerteilenummer | RJK0328DPB-01#J0 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RJK0328DPB-01#J0 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RJK0328DPB-01#J0 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6380pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 65W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | LFPAK |
Paket / fall | SC-100, SOT-669 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0328DPB-01#J0 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RJK0328DPB-01#J0-FT |
RS1E300GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E320GNTB
Rohm Semiconductor
2SK1835-E
Renesas Electronics America
2SK1317-E
Renesas Electronics America
2SJ162-E
Renesas Electronics America
2SK1058-E
Renesas Electronics America
2SK1339-E
Renesas Electronics America
2SK1340-E
Renesas Electronics America
2SK1341-E
Renesas Electronics America
2SK1342-E
Renesas Electronics America
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.