Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 2SK1317-E
Herstellerteilenummer | 2SK1317-E |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-2SK1317-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SK1317-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 2A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 990pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK1317-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SK1317-E-FT |
RF4E070GNTR
Rohm Semiconductor
RF4E075ATTCR
Rohm Semiconductor
RF4E080BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110GNTR
Rohm Semiconductor
RF4E070BNTR
Rohm Semiconductor
RQ3C150BCTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100MNTB1
Rohm Semiconductor
RQ3E120GNTB
Rohm Semiconductor
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation