Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 2SJ162-E
Herstellerteilenummer | 2SJ162-E |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-2SJ162-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SJ162-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 160V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SJ162-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SJ162-E-FT |
RF4E075ATTCR
Rohm Semiconductor
RF4E080BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110GNTR
Rohm Semiconductor
RF4E070BNTR
Rohm Semiconductor
RQ3C150BCTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100MNTB1
Rohm Semiconductor
RQ3E120GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E130MNTB1
Rohm Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel