Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 2SJ162-E
Herstellerteilenummer | 2SJ162-E |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-2SJ162-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SJ162-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 160V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SJ162-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SJ162-E-FT |
RF4E075ATTCR
Rohm Semiconductor
RF4E080BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110GNTR
Rohm Semiconductor
RF4E070BNTR
Rohm Semiconductor
RQ3C150BCTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100MNTB1
Rohm Semiconductor
RQ3E120GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E130MNTB1
Rohm Semiconductor
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation